ศาสตร์และศิลป์

Band Gap Engineering in Graphene

วัสดุกราฟีนมีคุณสมบัติเป็นโลหะ คือมี fermi level เป็นศูนย์ ซึ่งช่วยให้มีสมบัติที่ดี เช่น ทำให้อิเล็กตรอนเคลื่อนที่ได้แบบ ballistic แต่ในบางกรณีเราอาจอยากให้ระดับ fermi level มีค่าไม่เท่ากับศูนย์ เพื่อให้เกิดสมบัติแบบสารกึ่งตัวนำ เพื่อนำไปใช้ในงานด้านอื่นๆ เช่น เซลล์สุริยะ การสร้าง bandgap ในกราฟีน จึงเป็นสิ่งที่ต้องการมาก โดยมีการนำเทคนิคมาทดสอบมากมาย เร็วๆนี้ การปรับปรุงเทคนิคเลเซอร์ ประสบความสำเร็จ สามารถสร้าง bandgap จาก 0.5-2.1eV การผลิตปริมาณสูงด้วยวิธีดังกล่าว อาจสำเร็จในอนาคตอันใกล้ ที่มา https://www.purdue.edu/newsroom/releases/2019/Q2/laser-technique-could-unlock-use-of-tough-material-for-next-generation-electronics.html
Continue Reading