Band Gap Engineering in Graphene

ศาสตร์และศิลป์

Band Gap Engineering in Graphene

วัสดุกราฟีนมีคุณสมบัติเป็นโลหะ คือมี fermi level เป็นศูนย์ ซึ่งช่วยให้มีสมบัติที่ดี เช่น ทำให้อิเล็กตรอนเคลื่อนที่ได้แบบ ballistic

แต่ในบางกรณีเราอาจอยากให้ระดับ fermi level มีค่าไม่เท่ากับศูนย์ เพื่อให้เกิดสมบัติแบบสารกึ่งตัวนำ เพื่อนำไปใช้ในงานด้านอื่นๆ เช่น เซลล์สุริยะ

การสร้าง bandgap ในกราฟีน จึงเป็นสิ่งที่ต้องการมาก โดยมีการนำเทคนิคมาทดสอบมากมาย

เร็วๆนี้ การปรับปรุงเทคนิคเลเซอร์ ประสบความสำเร็จ สามารถสร้าง bandgap จาก 0.5-2.1eV

การผลิตปริมาณสูงด้วยวิธีดังกล่าว อาจสำเร็จในอนาคตอันใกล้

ที่มา https://www.purdue.edu/newsroom/releases/2019/Q2/laser-technique-could-unlock-use-of-tough-material-for-next-generation-electronics.html